SiC（炭化ケイ素）、GaN（窒化ガリウム）、Ga2O3（酸化ガリウム）などの半導体ウエハを開発・製造しているお客様にとって、作成した半導体ウエハ結晶の品質をどのように検査するかは大きな課題となっています。一般的には、欠陥密度を光学的に検査する方法が用いられていますが、半導体ウエハの結晶品質には、欠陥密度のみならずドーパント濃度なども影響してくるため、光学的品質検査と並行した多面的な品質検査が必要となってきます。
当社では、東北大学が発明した独自技術「HS-CMR法」という電気的アプローチによる、半導体ウエハの結晶品質検査手法を実用化しています。当社のHS-CMR法を用いることによって、光学的検査手法では見ることのできない半導体ウエハの結晶品質を検査することができます。
当社では、HS-CMR法を用いた半導体ウエハテスタの製造販売と並行して、HS-CMR法による半導体ウエハの品質検査受託サービスもご提供しています。お客様から半導体ウエハをお預かりして品質検査を行うことで、お客様が手軽にHS-CMR法を活用していただけるようにしています。半導体ウエハ１枚から対応していますので、お気軽にご相談ください。
α値、β値をカラーマッピング表示し、視覚的に結晶品質の
分布をとらえることが出来ます。
各測定点の実測値をグラフ化し他の測定点と比較することで、ウェハ表面、内部の特性をとらえることができます。
光学的検査手法では検査することができない、研磨する前のアズスライスウエハでも品質検査が可能です！
研磨したウエハについて、光学的検査手法では必要なアルカリエッチングをせずに、エッチピット数と相関のあるデータを取得できます！
高度な前処理を必要とせずに検査ができるため、試料を受領してから1週間程度で、検査結果をフィードバックできます！
化合物半導体のインゴット開発において、簡便に結晶品質の評価を行うことが出来るので、結晶成長実験へのデータフィードバックを迅速に行うことができ実験サイクルを短縮することが出来た
（パワー半導体結晶開発）
顧客から預かった２つのインゴットを同一条件でスライスしたが、反りが発生した物と発生しない物があり対応に困っていたが、HS-CMR法で測定した結果、結晶品質に起因したものであることが判明した
（インゴット加工材料メーカー）
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STEP1 |
下記お問い合わせフォームからご連絡ください。 |
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試料概要や測定内容等をお打ち合わせした後にお見積もりいたします。 |
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発注書と試料をご発送ください。 |
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STEP4 |
試料受け取り後、最短1週間程度で測定分析いたします。 |
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STEP5 |
測定報告書を送付いたします。 お預かりした試料はご返却いたします。 |
